Types de mémoire Flash
Il existe deux types de mémoire Flash : NOR et NAND (NON-OU et NON-ET). Ce nom fait référence aux types de portes logiques utilisées dans chaque cellule mémoire. Le type de Flash NOR (NON-OU) a été introduit par Intel en 1988 alors que le type NAND (NON-ET) a été introduit par Toshiba en 1989.
La mémoire NOR est plus rapide en lecture et plus chère, mais plus lente en écriture. La mémoire NAND a une capacité de stockage plus importante et elle est plus utilisée dans les appareils où le besoin d'écrire et d'effacer est plus fréquent (comme les clés USB, les lecteurs MP3, et les appareils photos numériques par exemple).
La mémoire Flash NOR est meilleure en termes d'accès aléatoire à un bit quelconque. Ce qui permet l'exécution d'un code. Tandis que la mémoire NAND est plus adéquate pour l'écriture séquentielle (comme la photo, la vidéo et l'audio, etc).
Ci-après un tableau résumant les différences majeures entre les deux types de mémoire Flash NOR et NAND.
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Propriété |
NOR |
NAND |
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Prix |
4x / GO |
1x / GO |
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Capacité |
16 MO-1 GO |
1 GO-16 GO |
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Exécutable |
Oui |
Non |
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Cycle d'écriture |
10 000-100 000 |
100 000-1000 000 avec ECC |
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Temps de lecture |
103 MO/sec |
18.6 MO/sec |
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Temps d'effacement de bloc |
1 sec |
500 µ sec |
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Temps d'écriture |
13 x 200 µ sec/page |
200 µ sec/page |
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Écriture pendant la lecture |
Possible |
impossible |